BSZ042N04NSG

ЕСКЕРТУ: Rochester Electronics BSZ042N04NSG chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	OptiMOS™ 3
Пакет	Bulk
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	40 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 36µA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	3700 pF @ 20 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Жұмыс температурасы	-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаж түрі	Through Hole
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	TO-220AB
Пакет / Корпус	TO-220-3

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 47574

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

	BSZ036NE2LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0901NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ031NE2LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0589NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ042N04NSG Rochester Electronics
	BSZ018NE2LSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ097N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0803LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ021N04LS6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ040N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Бұл элемент себетіңізге қосылды.