SIHU3N50D-GE3

Өндіруші бөлік нөмірі:	SIHU3N50D-GE3
Өндіруші:	Vishay / Siliconix
Сипаттаманың бөлігі:	MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Деректер кестелері:	SIHU3N50D-GE3 Деректер кестелері
Қорғасынсыз күй / RoHS күйі:	Қорғасынсыз / RoHS үйлесімді
Қор жағдайы:	Қоймада
Қайдан жөнелту:	Hong Kong
Жеткізу жолы:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЕСКЕРТУ: Vishay / Siliconix SIHU3N50D-GE3 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Tube
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	500 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	175 pF @ 100 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	69W (Tc)
Жұмыс температурасы	-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаж түрі	Through Hole
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	TO-251
Пакет / Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: Сол күні жеткізу

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

Бұл элемент себетіңізге қосылды.