RS1E200BNTB

ЕСКЕРТУ: ROHM Semiconductor RS1E200BNTB chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	30 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 15 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	3W (Ta), 25W (Tc)
Жұмыс температурасы	150°C (TJ)
Монтаж түрі	Surface Mount
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	8-HSOP
Пакет / Корпус	8-PowerTDFN

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 374

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

Бұл элемент себетіңізге қосылды.