RM21N650T2

ЕСКЕРТУ: Rectron USA RM21N650T2 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Tube
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	650 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±30V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 50 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	188W (Tc)
Жұмыс температурасы	-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаж түрі	Through Hole
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	TO-220-3
Пакет / Корпус	TO-220-3

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: Сол күні жеткізу

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

Бұл элемент себетіңізге қосылды.