FDFM2N111

ЕСКЕРТУ: Rochester Electronics FDFM2N111 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	PowerTrench®
Пакет	Bulk
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	20 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	273 pF @ 10 V
FET ерекшелігі	Schottky Diode (Isolated)
Қуатты бөлу (максимум)	1.7W (Ta)
Жұмыс температурасы	-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаж түрі	Surface Mount
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	MicroFET 3x3mm
Пакет / Корпус	6-WDFN Exposed Pad

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 22145

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

Бұл элемент себетіңізге қосылды.