G3R75MT12J

ЕСКЕРТУ: GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	G3R™
Пакет	Tube
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	1200 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	42A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 7.5mA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±15V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	1560 pF @ 800 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	224W (Tc)
Жұмыс температурасы	-55°C ~ 175°C (TJ)
Монтаж түрі	Surface Mount
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	TO-263-7
Пакет / Корпус	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 386

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

	G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

Бұл элемент себетіңізге қосылды.