BSM600C12P3G201

ЕСКЕРТУ: ROHM Semiconductor BSM600C12P3G201 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Tray
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	1200 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	600A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 182mA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	+22V, -4V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	28000 pF @ 10 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	2460W (Tc)
Жұмыс температурасы	175°C (TJ)
Монтаж түрі	Chassis Mount
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	Module
Пакет / Корпус	Module

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 3

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

	BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor

Бұл элемент себетіңізге қосылды.