GA20JT12-263

ЕСКЕРТУ: GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Tube
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	-
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	1200 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	45A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	3091 pF @ 800 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	282W (Tc)
Жұмыс температурасы	175°C (TJ)
Монтаж түрі	Surface Mount
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	D2PAK (7-Lead)
Пакет / Корпус	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 134

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

	GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor

Бұл элемент себетіңізге қосылды.