SIS888DN-T1-GE3

Өндіруші бөлік нөмірі:	SIS888DN-T1-GE3
Өндіруші:	Vishay / Siliconix
Сипаттаманың бөлігі:	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Деректер кестелері:	SIS888DN-T1-GE3 Деректер кестелері
Қорғасынсыз күй / RoHS күйі:	Қорғасынсыз / RoHS үйлесімді
Қор жағдайы:	Қоймада
Қайдан жөнелту:	Hong Kong
Жеткізу жолы:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЕСКЕРТУ: Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	ThunderFET®
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	150 V
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
FET ерекшелігі	-
Қуатты бөлу (максимум)	52W (Tc)
Жұмыс температурасы	-55°C ~ 150°C (TA)
Монтаж түрі	Surface Mount
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Пакет / Корпус	PowerPAK® 1212-8S

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 3097

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

Бұл элемент себетіңізге қосылды.