BSM120D12P2C005

ЕСКЕРТУ: ROHM Semiconductor BSM120D12P2C005 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Bulk
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	2 N-Channel (Half Bridge)
FET ерекшелігі	Silicon Carbide (SiC)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 22mA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	-
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 10V
Қуат - максимум	780W
Жұмыс температурасы	-40°C ~ 150°C (TJ)
Монтаж түрі	-
Пакет / Корпус	Module
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	Module

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 33

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

Бұл элемент себетіңізге қосылды.