BSM300D12P2E001

ЕСКЕРТУ: ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.

Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.

package

Техникалық сипаттама

Түр	Сипаттама
Серия	-
Пакет	Tray
Бөлімнің күйі	Active
FET түрі	2 N-Channel (Half Bridge)
FET ерекшелігі	Silicon Carbide (SiC)
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 68mA
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs	-
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds	35000pF @ 10V
Қуат - максимум	1875W
Жұмыс температурасы	-40°C ~ 150°C (TJ)
Монтаж түрі	Chassis Mount
Пакет / Корпус	Module
Жабдықтаушының құрылғы пакеті	Module

САТЫП АЛУ ОПЦИЯЛАРЫ

Акция күйі: 7

Ең аз: 1

Саны	Тауар өлшемінің бағасы	Қосымша. Бағасы
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз

Жүкті есептеу

FedEx 40 АҚШ доллары.

3-5 күнде келеді

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.

Танымал модельдер

	BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor
	BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor

Бұл элемент себетіңізге қосылды.