Honeywell Aerospace / HTNFET-DC
Сурет анықтама үшін берілген, нақты суретті алу үшін бізге хабарласыңыз
HTNFET-DC
| Өндіруші бөлік нөмірі: | HTNFET-DC |
| Өндіруші: | Honeywell Aerospace |
| Сипаттаманың бөлігі: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Деректер кестелері: | HTNFET-DC Деректер кестелері |
| Қорғасынсыз күй / RoHS күйі: | Қорғасынсыз / RoHS үйлесімді |
| Қор жағдайы: | Қоймада |
| Қайдан жөнелту: | Hong Kong |
| Жеткізу жолы: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЕСКЕРТУ
- Honeywell Aerospace HTNFET-DC chipnets.com сайтында қолжетімді. Біз тек Жаңа және Түпнұсқа бөлігін сатамыз және 1 жылдық кепілдік уақытын ұсынамыз. Өнімдер туралы көбірек білгіңіз келсе немесе жақсырақ бағаны қолданғыңыз келсе, бізбен хабарласыңыз, Онлайн чатты басыңыз немесе бізге баға ұсынысын жіберіңіз.
Барлық Eelctronics компоненттері ESD антистатикалық қорғанысы арқылы өте қауіпсіз оралады.
Техникалық сипаттама
| Түр | Сипаттама |
|---|---|
| Серия | HTMOS™ |
| Пакет | Bulk |
| Бөлімнің күйі | Active |
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 55 V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | - |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 50W (Tj) |
| Жұмыс температурасы | - |
| Монтаж түрі | Through Hole |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | - |
| Пакет / Корпус | 8-CDIP Exposed Pad |
Акция күйі: Сол күні жеткізу
Ең аз: 1
| Саны | Тауар өлшемінің бағасы | Қосымша. Бағасы |
|---|---|---|
Бағасы қол жетімді емес, RFQ сұраймыз |
||
Жүкті есептеу
FedEx 40 АҚШ доллары.
3-5 күнде келеді
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 доллардан асатын тапсырыстар үшін алғашқы 0,5 кг-да тегін жеткізу, Артық салмақ бөлек алынады.
Себетке қосылды!
Бұл элемент себетіңізге қосылды.